返回产品中心

磁场开关控制系统
产品介绍
基于IGBT和MOS管实现的磁场开关控制系统,用于反亥姆霍兹磁场线圈的开关和模拟控制。IGBT作为开关具有更高的电压和电流处理能力、极高的输入阻抗,可以使用非常低的电压切换非常高的电流,具有非常低的导通电阻和高电流密度,使其能够具有更小的芯片尺寸。
产品指标与参数
| 指标 | 参数 |
|---|---|
| 磁场控制电流下降延时间 | 不低于10μs |
| 耐受反向电压 | 不低于1kV |
应用领域
冷原子磁光阱梯度磁场控制
高速大电流关断控制
