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磁场开关控制系统

磁场开关控制系统

产品介绍

基于IGBT和MOS管实现的磁场开关控制系统,用于反亥姆霍兹磁场线圈的开关和模拟控制。IGBT作为开关具有更高的电压和电流处理能力、极高的输入阻抗,可以使用非常低的电压切换非常高的电流,具有非常低的导通电阻和高电流密度,使其能够具有更小的芯片尺寸。

产品指标与参数

指标参数
磁场控制电流下降延时间不低于10μs
耐受反向电压不低于1kV

应用领域

冷原子磁光阱梯度磁场控制
高速大电流关断控制